Resistive Random Access Memory

Als Resistive Random Access Memory (RRAM oder ReRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen RAM-Speichertyp, der durch Änderung des elektrischen Widerstandes eines schwach leitfähigen Dielektrikums Information speichert. Die Speicherzelle eines RRAMs, welche die Informationsmenge von einem Bit speichern kann, besteht aus einem normalerweise nicht leitenden Oxid, in dem künstliche Störstellen eingefügt sind, deren elektrischer Widerstand durch eine beim Schreiben angelegte elektrische Spannung zwischen zwei Extremwerten umgeschaltet werden kann. Die beiden Widerstandswerte repräsentieren die beiden möglichen Zustände logisch-0 oder logisch-1 von einem Bit.

RRAM ist seit ca. 2010 Gegenstand verschiedener praktischer Entwicklungsarbeiten auf Versuchsniveau, erste Patente und Forschungsarbeiten zu dieser Technologie datieren aus Anfang der 2000er Jahre.^[1] Im Jahr 2013 stelle die Firma Panasonic einen 8-Bit-Microcontroller mit integrierten RRAM im Umfang von 64 kByte kommerziell vor.^[2] Mit Stand 2017 spielt RRAM allerdings, bis auf wenige Versuchsanwendungen, keine bedeutende Rolle im Bereich der Halbleitertechnik, da die Preise im Vergleich zu anderen, ähnlichen Speicherzellen wie Flash-Speicher nicht konkurrenzfähig ist. 2020 plant Globalfoundries RRAMs 2022 für Produktionszwecke als kosteneffiziente NVRAM-Technologie bereitzustellen.^[3]

Ob RRAM-Zellen zu dem thematischen Bereich der Memristoren zählen ist in der Literatur umstritten, da sich die Funktionsdefinition des Memristors nicht mit der einer RRAM-Zelle deckt.^[4]

1. ↑ Referenzfehler: Ungültiges <ref>-Tag; kein Text angegeben für Einzelnachweis mit dem Namen US6531371.
2. ↑ Referenzfehler: Ungültiges <ref>-Tag; kein Text angegeben für Einzelnachweis mit dem Namen pan1.
3. ↑ Referenzfehler: Ungültiges <ref>-Tag; kein Text angegeben für Einzelnachweis mit dem Namen glofo1.
4. ↑ Referenzfehler: Ungültiges <ref>-Tag; kein Text angegeben für Einzelnachweis mit dem Namen memristor_nanobattery.